參數(shù)資料
型號(hào): 63CPQ100
元件分類: 整流器
英文描述: 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
封裝: TO-3P, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/5頁(yè)
文件大小: 81K
代理商: 63CPQ100
63CPQ100
PD-20728 12/99
www.irf.com
3
Fig. 1 - Max. Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 4 - Max. Thermal Impedance Z
thJC
Characteristics
Forward Voltage Drop-V
FM (V)
Instantaneous
Forward
Current
-I
F
(A)
Reverse
Current
-I
R
(mA)
Reverse Voltage-V
R(V)
Reverse Voltage-V
R(V)
Junction
Capacitance
-C
T
(pF)
t1,RectangularPulseDuration(Seconds)
Thermal
Impedance
Z
thJC
C/W)
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
1
10
100
1000
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T = 175C
T = 125C
T = 25C
J
100
1000
10000
0
20
40
60
80
100
120
T = 25C
J
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Single Pulse
(Thermal Resistance)
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
2
t
1
t
P
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T = P
x Z
+ T
J
DM
thJC
C
2
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
20406080
100
150C
125C
100C
75C
50C
25C
T = 175C
J
Fig. 2 - Typical Values Of Reverse Current
Vs. Reverse Voltage
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PDF描述
63CPQ100PBF 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
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63CPT100 60 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
63CTQ100GPBF 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
63CTQ100G 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
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參數(shù)描述
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