參數(shù)資料
型號： 61CTQ040
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類： 整流器
英文描述： 30 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 136K
代理商： 61CTQ040
Document Number: 94241
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www.vishay.com
Revision: 13-Aug-08
3
61CTQ...PbF Series
Schottky Rectifier, 2 x 30 A
Vishay High Power Products
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current vs.
Reverse Voltage
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance ZthJC Characteristics
1
10
0.8
1.2
VFM - Forward Voltage Drop (V)
I F
-
Instantaneous
Forwar
d
Current
(A)
100
0.4
0
0.2
0.6
1.0
1.4
1000
T
J = 175 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
0.1
1
10
100
0.001
0
VR - Reverse Voltage (V)
I R
-
Re
ver
se
Current
(mA)
40
50
1000
30
20
10
T
J = 150 °C
T
J = 25 °C
T
J = 50 °C
T
J = 100 °C
T
J = 125 °C
T
J = 75 °C
T
J = 175 °C
0.01
10 000
020
30
VR - Reverse Voltage (V)
C
T
-
J
u
nction
Capacitance
(pF)
10
1000
35
40
45
100
25
15
5
T
J = 25 °C
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 - Rectangular Pulse Duration (s)
Z
thJC
-
Thermal
Impedance
(°C/W)
Single pulse
(thermal resistance)
1
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
0.001
Notes:
1. Duty factor D = t
1/t2
2. Peak T
J = PDM x ZthJC + TC
P
DM
t
1
t
2
10
0.01
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PDF描述
61CTQ045PBF 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
61CTQ045 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
61M100 60 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
61M120 60 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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