參數(shù)資料
型號： 61CTQ035PBF
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類： 整流器
英文描述： 30 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 136K
代理商： 61CTQ035PBF
www.vishay.com
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
Document Number: 94241
2
Revision: 13-Aug-08
61CTQ...PbF Series
Vishay High Power Products
Schottky Rectifier, 2 x 30 A
Note
(1) Pulse width < 300 s, duty cycle < 2 %
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
TYP.
MAX.
UNITS
Maximum forward voltage drop
VFM (1)
30 A
TJ = 25 °C
0.57
0.61
V
60 A
0.72
0.76
30 A
TJ = 125 °C
0.53
0.57
60 A
0.70
0.74
Maximum instantaneous reverse current
IRM
TJ = 25 °C
Rated DC voltage
0.06
1
mA
TJ = 125 °C
21
40
Maximum junction capacitance
CT
VR = 5 VDC (test signal range 100 kHz to 1 MHz) 25 °C
1900
pF
Typical series inductance
LS
Measured from top of terminal to mounting plane
8.0
nH
Maximum voltage rate of change
dV/dt
Rated VR
10 000
V/s
THERMAL - MECHANICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum junction and storage
temperature range
TJ, TStg
- 65 to 175
°C
Maximum thermal resistance,
junction to case per leg
RthJC
DC operation
1.2
°C/W
Typical thermal resistance,
case to heatsink
RthCS
Mounting surface, smooth and greased
0.50
Approximate weight
2g
0.07
oz.
Mounting torque
minimum
Non-lubricated threads
6 (5)
kgf cm
(lbf in)
maximum
12 (10)
Marking device
Case style TO-220AB
61CTQ035
61CTQ040
61CTQ045
相關PDF資料
PDF描述
61CTQ040 30 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
61CTQ045PBF 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
61CTQ045 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
61M100 60 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
61M120 60 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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