參數(shù)資料
型號: 50N06-TF3-T
廠商: 友順科技股份有限公司
英文描述: 50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
中文描述: 五十○安培,60伏特N溝道功率MOSFET
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大?。?/td> 155K
代理商: 50N06-TF3-T
50N06
MOSFET
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
QW-R502-088,A
6 of 8
T Y PICAL CHARACT ERIS T ICS
10
2
10
1
10
0
10
1
10
-1
10
0
Drain-Source Voltage, V
DS
(V)
D
D
(
On-State Characteristics
V
GS
Top: 15V
10 V
8 V
7 V
6 V
5 .5V
5V
Bottorm: 4.5V
10
2
10
1
10
0
2
Gate-Source Voltage, V
GS
(V)
D
D
Transfer Characteristics
4
6
8
10
3
5
7
9
Note:
1. V
DS
=50V
2. 250
μ
s Pulse Test
1
2
4.5V
0.0
0
D
D
)
Drain Current I
D
(A)
40
80
200
100
140
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
On-Resistance Variation vs Drain Current
and Gate Voltage
10
2
10
1
10
0
0.2
Source-Drain Voltage V
SD
(V)
R
S
(
On State Current vs. Allowable Case
Temperature
1.6
0.4
0.6
0.8 1.0
1.2 1.4
20
60
120
160180
V
GS
=20V
*Note:
1. V
GS
=0V
2. 250
μ
s Test
25
150
V
GS
=10V
2000
0
5
Drain-Source Voltage, V
DC
(V)
C
Capacitance Characteristics
(Non-Repetitive)
C
ISS=
C
GS
+C
GD
(C
DS
=shorted)
C
OSS
=C
DS
+C
GD
C
RSS
=C
GD
C
ISS
1500
500
1000
10
20
C
OSS
0
G
G
(
Total Gate Charge, Q
G
(nC)
5
15
30
20 25
8
10
12
Gate Charge Characteristics
10
6
4
2
0
15
25
30
35
2500
3000
*Note:
1. V
GS
=0V
2. f = 1MHz
C
RSS
35 40 45
*Note: I
D
=50A
V
DS
=30V
V
DS
=48V
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PDF描述
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