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參數資料
| 型號： | 3SK320 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | N CHANNEL DUAL GATE MES TYPE (UHF BAND LOW NOISE AMP, MIX) |
| 中文描述： | N通道雙柵型制造執(zhí)行系統（超高頻波段低噪聲放大器，混合） |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 525K |
| 代理商： | 3SK320 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3SK321 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 3SK322 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 3SMAJ5913B | 3.0 Watt Surface Mount Silicon Zener Diodes |
| 3T010 | DIL 14 PIN SINGLE OUTPUT |
| 3TH41A | SILICON DIFFUSED TYPE (HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 3SK321 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 3SK322 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 3SK323 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier |
| 3SK324 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier |
| 3SK324UG | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier |
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