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參數(shù)資料
| 型號： | 3SK318 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier |
| 中文描述： | 硅N溝道雙柵場效應(yīng)晶體管超高頻射頻放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | 3SK318 |
3SK318
3
200
150
100
50
0
50
100
150
200
20
16
12
8
4
0
1
2
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5
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16
12
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4
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
V = 3 V
C
Ambient Temperature Ta (
°
C)
Maximum Channel Power
Dissipation Curve
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Output Characteristics
V = 1.7 V
D
D
D
D
Gate1 to Source Voltage V (V)
Gate2 to Source Voltage V (V)
Drain Current vs.
Gate1 to Source Voltage
4
8
12
16
20
0.9 V
1.0 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.6 V
1.5 V
1.4 V
0.8 V
Drain Current vs.
Gate2 to Source Voltage
V = 3.5 V
2.0 V
V = 3.5 V
2.0 V
V = 1.0 V
1.2 V
1.4 V
1.6 V
1.8 V
2.5 V
1.5 V
V = 1.0 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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