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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 3SK165A-0 |
| 廠商： | Sony Corporation |
| 英文描述： | GaAs N-channel Dual Gate MES FET |
| 中文描述： | 砷化鎵N溝道雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 59K |
| 代理商： | 3SK165A-0 |
– 3 –
3SK165A
–2.0
–1.5
–1.0
–0.5
0
0
20
30
40
50
V
G2S
– Gate 2 to source voltage [V]
I
D
I
D
vs. V
G2S
(V
DS
= 5V)
V
G1S
= 0V
–0.2V
–0.4V
–0.6V
–0.8V
–1.0V
–1.2V
–1.4V
10
–2.0
–1.5
–1.0
–0.5
0
0
20
30
40
50
V
G1S
– Gate 1 to source voltage [V]
g
gm vs. V
G1S
(V
DS
= 5V)
V
G2S
= 1.5V
1.0V
0.5V
0V
–0.5V
–1.0V
10
0
0.8
1.6
2.2
0
1.0
1.5
2.5
3.0
f – Frequency [GHz]
N
NF, Ga vs. f
0.5
0.4
1.2
2.0
2.0
10
20
25
35
40
15
30
G
(V
DS
= 5V, V
G2S
= 1.5V, I
D
= 10mA)
Ga
NFmin
0.6
1.4
0.2
1.0
1.8
–2.0
–1.4
–1.0
–0.6
–0.2 0 0.2
–0.4
0
2
3
4
6
V
G1S
– Gate 1 to source voltage [V]
N
NF vs. V
G1S
(V
DS
= 5V, f = 800MHz)
1
–1.6
–1.2
–0.8
5
–1.8
V
G2S
= 0.5V
1.0V
1.5V
0
–2.0
10
15
25
30
V
G1S
– Gate 1 to source voltage [V]
G
Ga vs. V
G1S
5
20
V
G2S
= 1.5V
1.0V
0.5V
(V
DS
= 5V, f = 800MHz)
–1.4
–1.0
–0.6
–0.2 0 0.2
–0.4
–1.6
–1.2
–0.8
–1.8
0
4
8
12
16
20 22
0
1.0
1.5
2.5
3.0
I
D
– Drain current [mA]
N
NF, Ga vs. I
D
(V
DS
= 5V, V
G2S
= 1.5V, f = 800MHz)
0.5
2
6
10
14
2.0
18
0
10
15
25
30
5
20
G
Ga
NF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3SK165A-1 | GaAs N-channel Dual Gate MES FET |
| 3SK166 | GaAs N-channel Dual Gate MES FET |
| 3SK166A | GaAs N-channel Dual Gate MES FET |
| 3SK166A-0 | GaAs N-channel Dual Gate MES FET |
| 3SK166A-2 | GaAs N-channel Dual Gate MES FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 3SK165A1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 8V V(BR)DSS | 80MA I(D) | SOT-143R |
| 3SK165A-1 | 制造商:SONY 制造商全稱(chēng):Sony Corporation 功能描述:GaAs N-channel Dual Gate MES FET |
| 3SK166 | 制造商:SONY 制造商全稱(chēng):Sony Corporation 功能描述:GaAs N-channel Dual Gate MES FET |
| 3SK166A | 制造商:SONY 制造商全稱(chēng):Sony Corporation 功能描述:GaAs N-channel Dual Gate MES FET |
| 3SK166A-0 | 制造商:SONY 制造商全稱(chēng):Sony Corporation 功能描述:GaAs N-channel Dual Gate MES FET |
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