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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 3N187 |
| 廠商： | Vaishali Semiconductor |
| 英文描述： | SILICON DUAL INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 硅雙絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 486K |
| 代理商： | 3N187 |
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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