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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 3MN03S |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | 3MN03S |
| 中文描述： | 3MN03S |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | 3MN03S |
3MN03S
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3N100E | TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1000 VOLTS |
| 3N128 | Silicon MOS Transistor |
| 3N142 | SILICON INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 3N153 | SILICON INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 3N154 | SILICON MOS TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 3MN03SF-TL-E | 功能描述:TRANS NPN 20V 30MA 3SSFP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| 3MN050DG | 功能描述:DIAMOND GRADE DAMAGE CONTROL SIG 制造商:3m 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 3MN1 | 功能描述:基本/快動(dòng)開關(guān) 15A @ 480 VAC DPDT Plunger Screw RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點(diǎn)形式:SPDT 執(zhí)行器:Lever 電流額定值:5 A 電壓額定值 AC:250 V 電壓額定值 DC:30 V 功率額定值: 工作力:120 g IP 等級(jí):IP 67 NEMA 額定值: 端接類型:Wire 安裝:Panel |
| 3MN107PL | 功能描述:PHOTOLUMINESCENT FILM 6900 SHIPB 制造商:3m 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 3MN11 | 功能描述:基本/快動(dòng)開關(guān) 3.06N PNL MNT Quick Con SW Snap Act PLGR RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點(diǎn)形式:SPDT 執(zhí)行器:Lever 電流額定值:5 A 電壓額定值 AC:250 V 電壓額定值 DC:30 V 功率額定值: 工作力:120 g IP 等級(jí):IP 67 NEMA 額定值: 端接類型:Wire 安裝:Panel |
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