參數(shù)資料
型號(hào): 3LP04MH
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
中文描述: P溝道MOSFET的硅通用開關(guān)設(shè)備
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 48K
代理商: 3LP04MH
3LP04MH
No. A0551-2/4
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Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Qg
Qgs
Qgd
VSD
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--200mA
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--200mA
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--200mA
IS=--200mA, VGS=0V
0.58
0.17
0.12
--0.89
nC
nC
nC
V
--1.2
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7019A-003
Switching Time Test Circuit
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : MCPH3
0
0
0
2
1
2.0
0.65
0.3
0
0.15
1
2
3
0 to 0.02
PW=10
μ
s
D.C.
1%
P.G
50
G
S
D
ID= --100mA
RL=150
Rg
VDD= --15V
VOUT
3LP04MH
VIN
0V
--4V
VIN
Rg=5k
ID -- VDS
ID -- VGS
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
D
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
S
O
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
S
O
Ambient Temperature, Ta --
°
C
D
IT11700
IT11701
IT11698
IT11699
--0.1
--1
0
2
0
--0.5
0
0
0
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
--100
--80
--60
--40
--20
--200
--180
--160
--140
--120
-
8V
-
6V
-
5V
-
4V
-
2V
-
20V
VGS=
--
1.5V
--250
--200
--150
--100
--50
--300
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
T-
°
C
-5
°
C
2
°
C
2
°
C
T=5
°
C
7
°
C
VDS= --10V
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
4
6
8
9
1
3
5
7
10
Ta=25
°
C
--10mA
--50mA
ID= --100mA
--40
--60
--20
0
20
40
60
80
100
120
160
140
1
0
2
3
4
5
6
7
ID= --50mA, VGS= --2.5V
ID= --100mA, VGS= --4.0V
ID= --10mA, VGS= --1.5V
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PDF描述
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