參數(shù)資料
型號(hào)： 3LN01M
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： 16 AMP MINIATURE PC BOARD RELAY
中文描述： 超高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 41K
代理商： 3LN01M
No.6138-3/4
3LN01M
0.01
0.6
0.5
0.8
0.7
0.9
1.0
1.1
1.2
0.1
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
VGS=0
IF -- VSD
-5
°
C
2
°
C
T=5
°
C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
IT00039
20
1.0
10
7
5
3
2
7
5
3
2
100
Ciss
Coss
Crss
f=1MHz
Ciss, Coss, Crss -- VDS
0
0.2
0.4
Total Gate Charge, Qg – nC
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VGS -- Qg
VDS=10V
ID=150mA
0.01
10
0.1
2
3
5
7
2
1000
100
7
5
3
2
7
5
3
2
SW Time -- ID
VDD=15V
VGS=4V
td(on)
tr
tf
td(off)
IT00037
IT00038
IT00040
--60
0
--40
--20
1
0
20
2
40
60
3
4
5
6
7
80
100
120
140
160
RDS(on) -- Ta
ID=40mA, VGS=2.5V
ID=80mA, VGS=4.0V
0.01
0.01
0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
0.1
7
5
3
2
7
5
3
2
1.0
1.0
VDS=10V
75
°
C
Ta=--25
°
C
25
°
C
IT00035
IT00036
0.01
0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
10
1.0
7
5
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1.0
RDS(on) -- ID
VGS=2.5V
0.001
1.0
0.01
2
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5
7
2
3
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7
100
10
7
5
3
2
7
5
3
2
0.1
RDS(on) -- ID
VGS=1.5V
Ta=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
--25
°
C
25
°
C
Ta=75
°
C
IT00033
IT00034
F
Drain Current, I
D
– A
Ambient Temperature, Ta – C
S
O
D
F
F
Diode Forward Voltage, V
SD
– V
S
Drain Current, I
D
– A
C
Drain-to-Source Voltage, V
DS
– V
G
G
S
O
D
Drain Current, I
D
– A
y
fs
-- ID
S
O
D
Drain Current, I
D
– A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
3LN01N N-Channel Silicon MOSFET(Ultrahigh-Speed Switching Applications)(超高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用的N溝道硅MOSFET)
3LN01SP 3LN01SP
3LN01S Ultrahigh-Speed Switching Applications
3LN02SP 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
3LN03M N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
3LN01M_06 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
3LN01M-AL3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:N CHANNEL SILICON MOSFET GENERAL-PURPOSE SWITCHING DEVICE APPLICATIONS
3LN01MG-AL3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:N CHANNEL SILICON MOSFET GENERAL-PURPOSE SWITCHING DEVICE APPLICATIONS
3LN01ML-AL3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:N CHANNEL SILICON MOSFET GENERAL-PURPOSE SWITCHING DEVICE APPLICATIONS
3LN01M-TL-E 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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