參數(shù)資料
型號： 3HP04MH
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
中文描述： P溝道MOSFET的硅通用開關(guān)器件應(yīng)用
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 46K
代理商： 3HP04MH
3HP04MH
No. A0445-2/4
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Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Qg
Qgs
Qgd
VSD
VDS=
--
10V, VGS=
--
10V, ID=
--
200mA
VDS=
--
10V, VGS=
--
10V, ID=
--
200mA
VDS=
--
10V, VGS=
--
10V, ID=
--
200mA
IS=
--
200mA, VGS=0V
1.6
0.5
0.1
nC
nC
nC
V
--
0.86
--
1.2
Package Dimensions
unit : mm
7019A-003
Switching Time Test Circuit
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : MCPH3
0
0
0
2
1
2.0
0.65
0.3
0
0.15
1
2
3
0 to 0.02
PW=10
μ
s
D.C.
≤
1%
P.G
50
G
S
D
ID= --100mA
RL=150
Rg
VDD= --15V
VOUT
3HP04MH
VIN
0V
--10V
VIN
Rg=5k
ID -- VDS
-40V
-.V
ID -- VGS
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
D
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
S
O
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
S
O
Ambient Temperature, Ta --
°
C
D
--20
--200
--60
--100
--140
--180
--40
--80
--120
--160
0
0
--40
--20
--120
--80
--160
--60
--140
--100
--180
--200
0
--1.0
--0.8
--0.6
--0.1
--0.2
--0.4
--0.9
--0.7
--0.3
--0.5
IT11209
0
--1.0
--0.5
--2.0
--3.0
--1.5
--2.5
--3.5
--4.0
IT11210
IT11212
0
--2
--4
--6
--8
--16
--10
--12
--14
IT11211
10
0
4
2
1
6
8
5
3
7
9
T=
7
°
C
2
°
C
-5
°
C
Ta=25
°
C
VGS= --2.0V
VDS=
--
10V
--60
0
4
5
2
3
1
6
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
ID= --50mA, VGS= --4V
I
D
= --100mA, V
GS
= --10V
-0V
-5V
ID= --50mA
--100mA
--2.5V
-.V
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