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參數(shù)資料
| 型號： | 3EZ8.2 |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) |
| 中文描述： | 8.2 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AC |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-15, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 112K |
| 代理商： | 3EZ8.2 |
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschludrhte in 10 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
) Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
3
) The 3EZ 1is a diode, operated in forward. The cathode, indicated by a ring, is to be connected to the negative pole.
Die 3EZ 1 ist eine in Durchla betriebene Einzelchip-Diode.
Die durch den Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.
216
28.02.2002
3EZ 1 … 3EZ 200 (3 W)
Silicon-Power-Z-Diodes
(non-planar technology)
Silizium-Leistungs-Z-Dioden
(flchendiffundierte Dioden)
Maximum power dissipation
Maximale Verlustleistung
3 W
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung
1…200 V
Plastic case
Kunststoffgehuse
DO-15
DO-204AC
Weight approx. – Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Mae in mm
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
see page 16
siehe Seite 16
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der
internationalen Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder hhere Arbeitsspannungen auf
Anfrage.
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Power dissipation – Verlustleistung
T
A
= 25 C
P
tot
3.0 W
1
)
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
T
A
= 25 C
P
ZSM
60 W
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
– 50…+150 C
– 50…+175 C
Thermal resistance junction to ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
R
thA
< 40 K/W
1
)
Thermal resistance junction to lead
Wrmewiderstand Sperrschicht – Anschludraht
R
thL
< 15 K/W
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nchsten Seite
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3EZ7.5 | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) |
| 3EZ20 | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) |
| 3EZ200 | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) |
| 3EZ7.5D5 | surface mount silicon Zener diodes |
| 3EZ8.2D5 | surface mount silicon Zener diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 3EZ82D/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:3.0W, VZ = 82V, ? 20% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 3W 82V 20% DO-41 |
| 3EZ82D/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:3.0W, VZ = 82V, ? 20% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 3W 82V 20% DO-41 |
| 3EZ82D10 | 制造商:EIC 制造商全稱:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SILICON ZENER DIODES |
| 3EZ82D10/TR12 | 功能描述:Zener Diode 82V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:82V 容差:±10% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 62.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 |
| 3EZ82D10/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:3.0W, VZ = 82V, ? 10% - Tape and Reel |
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