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參數(shù)資料
| 型號： | 33C408 |
| 廠商： | Maxwell Technologies, Inc |
| 英文描述： | 4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM |
| 中文描述： | 4兆位（為512k × 8位）的CMOS的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 241K |
| 代理商： | 33C408 |
6
All data sheets are subject to change without notice
2002 Maxwell Technologies
All rights reserved.
4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM
33C408
04.16.02 REV 8
Write Pulse Width (OE High)
-20
-25
-30
9, 10, 11
t
WP
14
15
17
--
--
--
--
--
--
ns
Write Recovery Time
-20
-25
-30
9, 10, 11
t
WR
0
0
0
--
--
--
--
--
--
ns
Write to Output in High-Z
-20
-25
-30
9, 10, 11
t
WHZ
--
--
--
5
5
6
--
--
--
ns
Write Pulse Width (OE Low)
-20
-25
-30
9, 10, 11
t
WP1
--
--
--
20
25
30
--
--
--
ns
Data to Write Time Overlap
-20
-25
-30
9, 10, 11
t
DW
9
10
11
--
--
--
--
--
--
ns
End Write to Output Low-Z
-20
-25
-30
9, 10, 11
t
OW
--
--
--
6
7
8
--
--
--
ns
Data Hold fromWrite Time
-20
-25
-30
9, 10, 11
t
DH
0
0
0
--
--
--
--
--
--
ns
T
ABLE
9. 33C408 AC C
HARACTERISTICS
FOR
W
RITE
C
YCLE
(V
CC
= 5V + 10%, T
A
= -55
TO
+125
°
C,
UNLESS
OTHERWISE
SPECIFIED
)
P
ARAMETER
S
UBGROUPS
S
YMBOL
M
IN
T
YP
M
AX
U
NIT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 33C408RPFB-20 | 4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM |
| 33C408RPFB-25 | 4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM |
| 33C408RPFB-30 | 4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM |
| 33C408RPFE-20 | 4 BATTERIES 4/V 80 H WITH 3 PINS RoHS Compliant: NA |
| 33C408RPFE-25 | 4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 33C408RPFB-20 | 制造商:MAXWELL 制造商全稱:Maxwell Technologies 功能描述:4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM |
| 33C408RPFB-25 | 制造商:MAXWELL 制造商全稱:Maxwell Technologies 功能描述:4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM |
| 33C408RPFB-30 | 制造商:MAXWELL 制造商全稱:Maxwell Technologies 功能描述:4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM |
| 33C408RPFE-20 | 制造商:MAXWELL 制造商全稱:Maxwell Technologies 功能描述:4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM |
| 33C408RPFE-25 | 制造商:MAXWELL 制造商全稱:Maxwell Technologies 功能描述:4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM |
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