型號(hào): | 30KPA198AE3TR |
廠商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/3頁(yè) |
文件大?。?/td> | 138K |
代理商: | 30KPA198AE3TR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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30KPA42CAE3TR | 30000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
30KP220C | 30000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
3HV20RCS | RECTIFIER DIODE |
3428 | MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT |
3431 | MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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30KPA198A-HR | 功能描述:TVS DIODE 198VWM 319.8VC AXIAL 制造商:littelfuse inc. 系列:30KPA-HR 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關(guān)態(tài)(典型值):198V 電壓 - 擊穿(最小值):221.2V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:319.8V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):94.7A 功率 - 峰值脈沖:30000W(30kW) 電源線路保護(hù):無(wú) 應(yīng)用:通用 不同頻率時(shí)的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:P600,軸向 供應(yīng)商器件封裝:P600 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 |
30KPA198A-HRA | 功能描述:TVS DIODE 198VWM 319.8VC AXIAL 制造商:littelfuse inc. 系列:30KPA-HRA 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關(guān)態(tài)(典型值):198V 電壓 - 擊穿(最小值):221.2V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:319.8V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):94.7A 功率 - 峰值脈沖:30000W(30kW) 電源線路保護(hù):無(wú) 應(yīng)用:通用 不同頻率時(shí)的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:P600,軸向 供應(yīng)商器件封裝:P600 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 |
30KPA198-B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 TVS Hi-Power Diode Axial RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
30KPA198C | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 TVS Hi Power Diode 30KPA Axial RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
30KPA198CA | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 TVS Hi Power Diode 30KPA Axial RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |