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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK973L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | 2SK973L |
2SK973(L), 2SK973(S)
3
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Drain to source breakdown
voltage
V
(BR)DSS
60
—
—
V
I
D
= 10 mA, V
GS
= 0
Gate to source breakdown
voltage
V
(BR)GSS
±
20
—
—
V
I
G
=
±
100
μ
A, V
DS
= 0
Gate to source leak current
I
GSS
—
—
±
10
100
μ
A
μ
A
V
V
GS
=
±
16 V, V
DS
= 0
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0
I
D
= 1 mA, V
DS
= 10 V
I
D
= 1 A, V
GS
= 10 V *
Zero gate voltage drain current I
DSS
Gate to source cutoff voltage
—
—
V
GS(off)
R
DS(on)
1.0
—
2.0
Static drain to source on state
resistance
—
0.25
0.35
1
0.40
0.50
S
I
D
= 1 A, V
GS
= 4 V *
I
D
= 1 A, V
DS
= 10 V *
V
= 10 V, V
GS
= 0,
f = 1 MHz
1
Forward transfer admittance
|yfs|
1.2
2.0
—
1
Input capacitance
Ciss
—
240
—
pF
Output capacitance
Coss
—
115
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
35
—
pF
Turn-on delay time
t
d(on)
—
4
—
ns
I
D
= 1 A, V
GS
= 10 V,
R
L
= 30
Rise time
t
r
t
d(off)
t
f
V
DF
—
15
—
ns
Turn-off delay time
—
80
—
ns
Fall time
—
40
—
ns
Body to drain diode forward
voltage
—
1.0
—
V
I
F
= 2 A, V
GS
= 0
Body to drain diode reverse
recovery time
Note
1. Pulse test
t
rr
—
70
—
ns
I
F
= 2 A, V
= 0,
di
F
/dt = 50 A/
μ
s
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK973S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK974 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK974L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK974S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SK974(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252AA |
| 2SK974L | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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