參數(shù)資料
型號(hào): 2SK971
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
中文描述: 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(不適用溝道MOSFET的)
文件頁(yè)數(shù): 5/8頁(yè)
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代理商: 2SK971
2SK971
5
D
V
D
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
6
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
8
4
2
0
10
0.8
1.2
1.6
2.0
0.4
Pulse Test
I
D
= 5 A
20 A
10 A
10
Drain Current I
D
(A)
20
5
2
100
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
0.01
0.005
50
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
S
R
D
)
V
GS
= 4 V
10 V
Pulse Test
80
Case Temperature T
C
(°C)
120
40
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
–40
0
160
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
S
R
D
)
I
D
= 10 A
5 A
20 A
Pulse Test
V
GS
= 4 V
V
GS
= 10 V
15 A
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
50
20
10
5
2
1.0
0.5
0.2
0.5
1.0
2
5
20
Drain Current I
D
(A)
10
F
y
T
C
= 25°C
V
DS
= 10 V
Pulse Test
–25°C
75°C
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PDF描述
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