參數(shù)資料
型號: 2SK766
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: JFETs
英文描述: Silicon N-channel Power F-MOS FET
中文描述: 3 A, 500 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/1頁
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代理商: 2SK766
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK767 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-186
2SK769 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR
2SK770 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2A I(D) | SOT-186
2SK771 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Frequency General-Purpose Amp Applications
2SK771-5-TB-E 功能描述:JFET N-CH 40V 20MA SCP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET(結(jié)點場效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān))@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS(開):200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW