參數(shù)資料
型號： 2SK4178-ZK-E2-AY
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 48000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
封裝： LEAD FREE, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 215K
代理商： 2SK4178-ZK-E2-AY
Data Sheet D19080EJ1V0DS
4
2SK4178
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
-
Drain
Current
-
A
0
50
100
150
200
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
VGS = 10 V
Pulsed
4.5 V
VDS - Drain to Source Voltage - V
I
D
-Drain
Cur
rent
-
A
0.001
0.01
0.1
1
10
100
01
23
45
Tch =
55°C
25°C
25
°C
75
°C
125
°C
150
°C
VDS = 10 V
Pulsed
VGS - Gate to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
GS
(t
h)
–
G
ate
to
Source
Threshold
Voltage
-
V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-75
-25
25
75
125
175
VDS = VGS
ID = 250
μA
Tch - Channel Temperature -
°C
|y
fs
|-
Forward
Tr
ans
fer
A
dmittance
-
S
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
Tch =
55°C
25°C
VDS = 10 V
Pulsed
25°C
75°C
125°C
150°C
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
D
S
(on)
-Dr
ai
nto
S
ourc
eO
n-st
ate
Re
sist
ance
-m
Ω
0
5
10
15
20
1
10
100
1000
Pulsed
VGS = 4.5 V
10 V
ID - Drain Current - A
R
D
S
(on)
-Dr
ai
nto
S
ourc
eO
n-st
ate
Re
sist
ance
-m
Ω
0
5
10
15
0
5
10
15
20
Pulsed
ID = 30 A
9.6 A
VGS – Gate to Source Voltage - V
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PDF描述
2SK4178(1)-S27-AY 48000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA
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