參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK4093TZ-E
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-51, TO-92MOD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 119K
代理商： 2SK4093TZ-E
2SK4093
REJ03G1534-0300 Rev.3.00 Feb 01, 2008
Page 2 of 6
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Drain to source breakdown voltage
V(BR)DSS
250
—
V
ID = 10 mA, VGS = 0
Gate to source breakdown voltage
V(BR)GSS
±10
—
V
IG =
±100 A, VDS = 0
Zero gate voltage drain current
IDSS
—
1
A
VDS = 250 V, VGS = 0
Gate to source leak current
IGSS
—
±10
A
VGS =
±8 V, VDS = 0
Gate to source cutoff voltage
VGS(off)
0.5
—
1.5
V
VDS = 10 V, ID = 1 mA
Static drain to source on state
resistance
RDS(on)
—
1.9
2.6
ID = 0.5 A, VGS = 4 V
Note3
Static drain to source on state
resistance
RDS(on)
—
2.0
2.7
ID = 0.5 A, VGS = 2.5 V
Note3
Input capacitance
Ciss
—
140
—
pF
Output capacitance
Coss
—
18
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
6
—
pF
VDS = 25 V
VGS = 0
f = 1 MHz
Turn-on delay time
td(on)
—
14
—
ns
Rise time
tr
—
17
—
ns
Turn-off delay time
td(off)
—
46
—
ns
Fall time
tf
—
16
—
ns
ID = 0.5 A
VGS = 4 V
RL = 250
Rg = 10
Total gate charge
Qg
—
5.5
—
nC
Gate to source charge
Qgs
—
0.4
—
nC
Gate to drain charge
Qgd
—
3.1
—
nC
VDD = 200 V
VGS = 4 V
ID = 1 A
Body-drain diode forward voltage
VDF
—
0.78
1.20
V
IF = 0.5 A, VGS = 0
Note3
Body-drain diode reverse recovery time
trr
—
80
—
ns
IF = 0.5 A, VGS = 0
diF/dt = 100 A/
s
Notes: 3. Pulse test
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK4093TZ-E 1000 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
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2SK4108 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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2SK4094_12 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
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