參數(shù)資料
型號： 2SK4070-ZK-E1-AY
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1000 mA, 600 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
封裝： LEAD FREE, MP-3ZK, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 213K
代理商： 2SK4070-ZK-E1-AY
Data Sheet D18785EJ2V0DS
7
2SK4070
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-251 (MP-3-a)
2) TO-251 (MP-3-b)
6.6
±0.2
Mold Area
2.3
±0.1
0.5
±0.1
0.76
±0.1
0.5
±0.1
No Plating
5.3 TYP.
0.7
TYP.
6.1
±
0.2
1.8
±
0.2
9.3
TYP.
4.0
MIN
.
1.02
TYP.
16.1
TYP.
4.3 MIN.
1
4
23
1.14 MAX.
2.3 TYP.
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
6.6±0.2
2.3±0.1
0.5±0.1
0.76±0.12
0.5±0.1
5.3 TYP.
2.3 TYP.
1.14 MAX.
1.06
TYP.
11.25
TYP.
4.13
TYP.
1.04
TYP.
6.1±0.2
1.1±0.13
2
13
4
3) TO-252 (MP-3ZK)
EQUIVALENT CIRCUIT
6.5
±0.2
2.3
±0.1
0.5
±0.1
0.76
±0.12
0 to 0.25
0.5
±0.1
1.0
No Plating
5.1 TYP.
1.0
TYP.
6.1
±
0.2
0.51
MIN.
4.0
MIN
.
0.8
10.4
MAX.
(9.8
TYP.)
4.3 MIN.
1
4
23
1.14 MAX.
2.3
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
Body
Diode
Source
Drain
Gate
Remark Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately degrade
the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as possible, and quickly
dissipate it once, when it has occurred.
<R>
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PDF描述
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