型號: | 2SK4065 |
廠商: | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 100 A, 75 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | SMP, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 3/5頁 |
文件大小: | 44K |
代理商: | 2SK4065 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SK4076-ZK-E1-AY | 35000 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
2SK4090-ZK-E1-AY | 64 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
2SK4090(1)-S27-AY | 64 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA |
2SK4090-ZK-E1-AY | 64 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
2SK4091-ZK-E1-AY | 30 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SK4065_12 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
2SK4065-DL-1E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 4V DRIVE SERIES - Tape and Reel |
2SK4065-DL-1EX | 功能描述:MOSFET N-CH 75V TO263-2 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Ta) 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):220nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):12200pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.65W(Ta),90W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 50A,10V 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-263-2 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:800 |
2SK4065-DL-E | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
2SK4065-E | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |