參數(shù)資料
型號： 2SK4059TV
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
封裝： LEAD FREE, 2-1H1A, VESM2, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 195K
代理商： 2SK4059TV
2SK4059TV
2006-02-09
1
TOSHIBA Field Effect Transistor
Silicon N Channel Junction Type
2SK4059TV
For ECM
Application for Ultra-compact ECM
Lead(Pb)-free
Maximum Ratings (Ta=25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Gate-Drain voltage
VGDO
-20
V
Gate Current
IG
10
mA
Drain power dissipation (Ta
= 25°C)
PD
100
mW
Junction Temperature
Tj
125
°C
Storage temperature range
Tstg
55~125
°C
IDSS CLASSIFICATION
A-Rank
140~240A
B-Rank
210~350A
C-Rank
320~500A
Marking
Equivalent Circuit
Precaution
There is a metal plate on the top of package, which has the same electrical potential as the Gate terminal. Don’t use
it as a terminal.
Unit: mm
JEDEC
-
JEITA
-
TOSHIBA
2-1H1A
Weight: 0.8mg (typ.)
VESM2
1.Drain
2.Source
3.Gate
1.2±0.05
0.8±0.05
1.2±
0.
0
5
0
.8±
0.1
0.3±
0.
0
5
1
2
3
0.
4
0.
4
0
.2±
0.0
5
0.28
±
0
.0
2
0.
09
±
0
.0
3
Type Name
Top Gate
IDSS Classification Symbol
A :A-Rank
B :B-Rank
C :C-Rank
8
□
Lot Code
D
G
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SK4069-S15-AY 30000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA
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