參數(shù)資料
型號: 2SK4057(1)-S27-AY
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 30 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA
封裝: LEAD FREE, TO-251, MP-3-B, 3 PIN
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大?。?/td> 294K
代理商: 2SK4057(1)-S27-AY
2SC5081
Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 4 of 5
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Collector Current
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= 1V
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f = 1 GHz
f = 2 GHz
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Collector Current
IC (mA)
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= 5V
CE
f = 1 GHz
f = 2 GHz
S
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S21 Parameter vs. Collector Current
相關PDF資料
PDF描述
2SK4057-ZK-E2-AY 30 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4057 30 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4062LS 18 A, 450 V, 0.32 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK4065-TL 100 A, 75 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK4065 100 A, 75 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK4057-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK4057-ZK-E2-AY 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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2SK4059TK 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel Junction Type For ECM