參數(shù)資料
型號: 2SK3978
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 4000 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: TP, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大小: 50K
代理商: 2SK3978
2SK3978
No. A0686-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Input Capacitance
Ciss
VDS=20V, f=1MHz
950
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=20V, f=1MHz
44
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=20V, f=1MHz
26
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
12.2
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
8.4
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
96
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
32
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=100V, VGS=10V, ID=4A
21
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=100V, VGS=10V, ID=4A
2.8
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=100V, VGS=10V, ID=4A
4.7
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=4A, VGS=0V
0.88
1.2
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7518-004
7003-004
Switching Time Test Circuit
6.5
5.0
2.3
0.5
12
4
3
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
2.3
7.0
7.5
1.6
0.8
5.5
1.5
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : TP
6.5
5.0
2.3
0.5
12
4
3
0.85
0.6
0.5
1.2
2.3
7.0
2.5
5.5
1.5
0.8
0 to 0.2
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : TP-FA
PW=10s
D.C.≤1%
10V
0V
VIN
P.G
50
G
S
ID=2A
RL=50
VDD=100V
VOUT
VIN
D
2SK3978
相關PDF資料
PDF描述
2SK3984-ZK 18000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK3988-01 3 A, 600 V, 3.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3989-01MR 3 A, 600 V, 3.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3993 64000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA
2SK3993-ZK 64000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3979-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:Nch 200V 6A 450m@10V TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 200V 6A TP-FA 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SK3980-TD-E 制造商:SANYO 功能描述:Nch 60V 0.9A obo Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 60V 0.9A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SK3984-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3991-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3991-ZK-E2-AY 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件