參數(shù)資料
型號： 2SK3831
元件分類： JFETs
英文描述： 85 A, 60 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3PB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 40K
代理商： 2SK3831
2SK3831
No.8028-2/4
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Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
40
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
370
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
355
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
315
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=30V, VGS=10V, ID=85A
113
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=30V, VGS=10V, ID=85A
19
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=30V, VGS=10V, ID=85A
28
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=85A, VGS=0
1.18
1.5
V
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
2056A
Unclamped Inductive Circuit
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : TO-3PB
15.6
2.6
3.5
1.2
14.0
1.6
1.0
2.0
0.6
20.0
15.0
1.3
3.2
4.8
2.0
0.6
5.45
1.4
1
2
3
PW=10
s
D.C.
≤1%
P.G
50
G
S
D
ID=43A
RL=0.7
VDD=30V
VOUT
2SK3831
VIN
10V
0V
VIN
50
15V
0V
≥50
RG
DUT
VDD
L
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
ID -- VDS
Drain
Current,
I
D
--
A
IT07697
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
ID -- VGS
Drain
Current,
I
D
--
A
IT07698
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
4.0V
6.0V
8.0V
10V
VGS=3.0V
Tc=
25
°C
0.5
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
VDS=10V
T
c=75
°C
--25
°C
25
°C
T
c=
-
-25
°C
75
°C
25
°C
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PDF描述
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