參數(shù)資料
型號: 2SK3823
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: JFETs
英文描述: 40 A, 60 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 38K
代理商: 2SK3823
2SK3823
No.8241-3/4
RDS(on) -- VGS
IT08835
RDS(on) -- Tc
IT08836
ID -- VDS
IT08833
ID -- VGS
IT08834
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
10
20
30
80
60
70
50
40
10
20
30
80
60
70
50
40
0
--50
--25
150
030
10
15
20
25
5
Ciss, Coss, Crss -- VDS
1000
5
IT08840
IT08838
IF -- VSD
IT08837
0.1
1.0
23
5
7
23
5
7
23
5
7
3
10
1.0
yfs -- ID
1.5
1.2
0.6
0.3
0.9
0
0.01
0.1
5
7
3
2
1.0
5
7
3
2
10
5
7
3
2
100
5
7
3
2
7
5
7
5
2
3
5
7
100
2
10
3456789
210
0
10
70
20
30
40
50
60
0
40
60
50
10
20
30
3
2
14
5
06
0
25
50
75
100
125
3
2
100
2
3
7
5
VGS=3V
8V
10V
Tc=
25
°C
25
°C
--25
°C
T
c=
--25
°C
75
°C
Tc
=75
°C
VDS=10V
ID=20A
Tc=75
°C
25
°C
--25
°C
I D
=20A,
V GS
=4V
ID=20A,
VGS
=10V
Tc=
--25
°C
75
°C
25°
C
VDS=10V
Tc
=
75
°C
25
°C
--
25
°C
VGS=0
f=1MHz
IT08839
0.1
1.0
23
5
7
23
5
7
23
5
10
5
10
100
5
7
2
3
2
3
SW Time -- ID
4V
6V
25
°C
Coss
Ciss
Crss
td(off)
tf
td(on)
t r
VDD=30V
VGS=10V
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Case Temperature, Tc --
°C
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Drain Current, ID -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Forward
Current,
I
F
-
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3825 74 A, 60 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3828 52 A, 100 V, 0.034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3843 75 A, 40 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3845 70 A, 60 V, 0.0058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3850 700 mA, 600 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3824 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SK3826 功能描述:MOSFET N-CH 100V 26A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3827 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3842(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 60V 75A Rdson=0.0058Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SK3844(Q) 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 60V 45A Rdson=0.0058Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube