參數(shù)資料
型號: 2SK3822
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: JFETs
英文描述: 52 A, 100 V, 0.032 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: SMP, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 40K
代理商: 2SK3822
2SK3822
No.8014-3/4
RDS(on) -- VGS
IT07877
RDS(on) -- Tc
IT07878
ID -- VDS
IT07875
ID -- VGS
IT07876
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
4.0
3.5
3.0
0
10
20
30
70
60
50
40
0
10
20
30
70
60
50
40
--50
--25
150
030
10
15
20
25
5
Ciss, Coss, Crss -- VDS
1000
10000
IT07882
IT07880
IF -- VSD
IT07879
0.1
1.0
23
5 7
3
10
1.0
yfs -- ID
1.5
1.2
0.6
0.3
0.9
0
0.01
0.1
5
7
3
2
1.0
5
7
3
2
10
5
7
3
2
100
5
7
3
2
7
5
7
5
2
3
5
7
100
2
3
2
10
23
5 7
3
5 7
2
100
3456789
210
5
20
50
25
30
35
40
45
15
10
0
40
60
50
10
20
30
1.5
1.0
0.5
2.0
2.5
3.0
0
4.5
4.0
3.5
0
25
50
75
100
125
7
5
2
3
7
5
VGS=3V
6V
8V
10V
Tc=
25
°C
25
°C
--25
°C
25
°C
T
c=
-
-25
°C
75
°C
Tc
=
75
°C
VDS=10V
ID=26A
Tc=75
°C
25
°C
--25
°C
I D
=26A,
V GS
=4V
I D
=26A,
V GS
=10V
Tc=
--25
°C
75
°C
25°
C
VDS=10V
Tc
=
75
°C
25
°C
--
25
°C
VGS=0
f=1MHz
Coss
Ciss
Crss
IT07881
0.1
1.0
23
5
7
23
5
7
23
5
7
10
100
1000
3
5
7
2
3
5
7
SW Time -- ID
td(off)
tf
td(on)
tr
VDD=50V
VGS=10V
4V
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Case Temperature, Tc --
°C
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Drain Current, ID -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Forward
Current,
I
F
-
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3829 48 A, 60 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3862G-T 0.47 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK3862G-S 0.47 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK3863 5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3863 5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3823 功能描述:MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3824 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SK3826 功能描述:MOSFET N-CH 100V 26A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3827 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3842(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 60V 75A Rdson=0.0058Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube