參數(shù)資料
型號： 2SK3820
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： JFETs
英文描述： 26 A, 100 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SMP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： 2SK3820
2SK3820
No.8147-3/4
RDS(on) -- VGS
IT07857
RDS(on) -- Tc
IT07858
ID -- VDS
IT07855
ID -- VGS
IT07856
0.5
1.0
1.5
2.5
2.0
3.0
5.0
4.5
4.0
3.5
0
5
10
25
15
40
30
20
35
0.5
1.0
2.0
1.5
2.5
4.5
4.0
3.5
3.0
0
5
10
25
15
30
20
40
35
--50
--25
150
030
10
15
20
25
5
Ciss, Coss, Crss -- VDS
5
1000
100
IT07862
IT07860
IS -- VSD
IT07859
0.1
1.0
23
5
7
3
10
1.0
yfs -- ID
7
5
2
3
5
2
3
2
3
2
10
23
5
7
23
5
3456789
210
20
70
120
90
100
110
80
40
50
60
30
50
130
60
70
80
90
100
110
120
20
30
40
10
0
25
50
75
100
125
7
5
VGS=3V
6V
8V
10V
Tc=
25
°C
25
°C
--25
°C
25
°C
T
c=
-
-25
°C
75
°C
Tc
=
75
°C
VDS=10V
ID=13A
Tc=75
°C
25
°C
--25
°C
I D
=13A,
V GS
=4V
I D
=13A,
V GS
=10V
Tc=
--25
°C
75
°C
25°
C
VDS=10V
f=1MHz
Coss
Ciss
Crss
IT07861
0.1
23
1.0
57
2
3
57
2
3
5
10
100
7
2
3
5
7
2
3
5
SW Time -- ID
td(off)
tf
td(on)
tr
4V
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Case Temperature, Tc --
°C
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Drain Current, ID -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Source
Current,
I
S
-
A
1.5
1.2
0.3
0.6
0.9
0
0.01
0.1
1.0
10
100
5
7
3
2
5
7
3
2
5
7
3
2
5
7
3
2
Tc
=
75
°C
25
°C
--
25
°C
VGS=0V
VDD=50V
VGS=10V
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PDF描述
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2SK3821-DL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A SMP-FD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3821-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A SMP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3823 功能描述:MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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