參數(shù)資料
型號： 2SK3814
元件分類： JFETs
英文描述： 60 A, 60 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
封裝： TO-251, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 115K
代理商： 2SK3814
Data Sheet D16740EJ2V0DS
7
2SK3814
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-251 (MP-3)
<R> 2) TO-252 (MP-3Z)
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
2
13
6.5±0.2
5.0±0.2
4
1.5-
0.1
+0.2
5.5±0.2
7.0
MIN.
13.7
MIN.
2.3
0.75
0.5±0.1
2.3±0.2
1.6±0.2
1.1±0.2
0.5-0.1
+0.2
0.5-0.1
+0.2
12 3
4
6.5 ±0.2
4.4 ±0.2
5.0 ±0.2
0.5 ±0.1
5.6
±0.3
9.5
±0.5
2.5
±0.5
1.0
±0.5
1.5
0.1
+0.2
2.3 ±0.2
0.5 ±0.1
Note
0.4
MIN.
0.5
TYP.
0.15 ±0.15
2.3 ±0.3
5.5
±0.2
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
Note The depth of notch at the top of the fin is
from 0 to 0.2 mm.
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Drain
Remark Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately
degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as
possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.
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參數(shù)描述
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