參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3813
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 60 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA
封裝： MP-3, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 113K
代理商： 2SK3813
Data Sheet D16739EJ3V0DS
4
2SK3813
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
-
Dr
ain
Cur
rent
-
A
0
50
100
150
200
250
300
012
3
4
5
VGS = 10 V
Pulsed
4.5 V
VDS - Drain to Source Voltage - V
I
D
-
Dr
ain
Cur
rent
-
A
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
01
2
345
VDS = 10 V
Pulsed
Tch =
55°C
25°C
75°C
125°C
150°C
VGS - Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
G
S
(off)
-
Gate
C
u
t-
off
Voltage
-
V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-75
-25
25
75
125
175
VDS = 10 V
ID = 1 mA
Tch - Channel Temperature -
°C
|
y
fs
|
-
Forward
T
ransfer
Admittan
c
e
-
S
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS = 10 V
Pulsed
Tch =
55°C
25°C
75°C
125°C
150°C
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
DS(
on)
-Drain
to
S
ource
On
-state
Re
sistance
-
m
Ω
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
10
100
1000
10 V
Pulsed
VGS = 4.5 V
ID - Drain Current - A
R
DS(
on)
-Drain
to
S
ource
On
-state
Re
sistance
-
m
Ω
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
ID = 30 A
Pulsed
VGS - Gate to Source Voltage - V
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PDF描述
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