參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3811-ZP
元件分類： JFETs
英文描述： 110 A, 40 V, 0.0018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263, MP-25ZP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 9/10頁(yè)
文件大?。?/td> 268K
代理商： 2SK3811-ZP
Data Sheet D16737EJ1V0DS
6
2SK3811
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
I
AS
-Single
Avalanche
Current
-A
1
10
100
1000
IAS = 72 A
EAS = 518 mJ
VDD = 20 V
RG = 25
VGS = 20
→ 0 V
Starting Tch = 25°C
L - Inductive Load - H
Energy
Derating
Factor
-
%
0
20
40
60
80
100
25
50
75
100
125
150
VDD = 20 V
RG = 25
VGS = 20
→ 0 V
IAS
≤ 72 A
Starting Tch - Starting Channel Temperature - °C
10
100
1 m
10 m
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SK3813 60 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA
2SK3822 52 A, 100 V, 0.032 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3829 48 A, 60 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3862G-T 0.47 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3811-ZP-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3812-ZP-A E2 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK3812-ZP-E1-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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2SK3812-ZP-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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