參數(shù)資料
型號(hào): 2SK3799
元件分類: JFETs
英文描述: 8 A, 900 V, 1.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: LEAD FREE, 2-10U1B, SC-67, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/6頁(yè)
文件大小: 190K
代理商: 2SK3799
2SK3799
2010-01-29
3
DRAIN CURRENT ID (A)
RDS (ON) ID
DR
AIN
SOURC
E
ON
-R
ESI
S
TA
NC
E
R
DS
(ON)
(
Ω
)
1
10
1
10
0.1
COMMON SOURCE
Tc
= 25°C
PULSE TEST
VGS = 10 V
100
GATE
SOURCE VOLTAGE VGS (V)
ID – VGS
DR
AIN
CURR
EN
T
I D
(A)
COMMON SOURCE
VDS = 20 V
PULSE TEST
0
20
4
12
8
16
2
0
10
4
6
8
Tc
= 55°C
25
100
DRAIN
SOURCE VOLTAGE VDS (V)
ID – VDS
DR
AIN
CURR
EN
T
I D
(A)
0
10
2
6
4
8
2
0
10
4
6
8
COMMON SOURCE
Tc
= 25°C
PULSE TEST
VGS = 4.5 V
5
5.25
4.75
6
5.5
10
15
DRAIN
SOURCE VOLTAGE VDS (V)
ID – VDS
DR
AIN
CURR
EN
T
I D
(A)
0
20
4
12
8
16
4
0
20
8
12
16
10
15
6
5.5
5
VGS = 4.5 V
COMMON SOURCE
Tc
= 25°C
PULSE TEST
DR
AIN
SO
URCE
VOL
TAGE
V
DS
(
V
)
GATE
SOURCE VOLTAGE VGS (V)
VDS – VGS
0
20
4
12
8
16
04
20
8
12
16
2
4
ID = 8 A
COMMON SOURCE
Tc
= 25°C
PULSE TEST
FO
RW
ARD
TR
AN
SFE
R
AD
MI
TT
A
N
C
E
Y
fs
(S)
DRAIN CURRENT ID (A)
Yfs ID
25
0.1
100
10
Tc
= 55°C
100
1
100
10
1
COMMON SOURCE
VDS = 20 V
PULSE TEST
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK381-11-B N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK381-11-C N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK381-11-A N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK381-T11-C N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK381-11-E N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3799(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 900V 8A 3PIN SC-67 - Rail/Tube 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 900V 8A 1.3@10V TO220SIS Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor,MOSFET
2SK3799(Q,M) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH - Rail/Tube 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO220SIS 制造商:Toshiba 功能描述:TRANSISTOR
2SK3799(STA4,Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
2SK3799(STA4,Q,M) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET
2SK3800 功能描述:MOSFET N-CH 40V TO-220S 制造商:sanken 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):70A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 35A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5100pF @ 10V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-220S 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000