參數(shù)資料
型號(hào): 2SK3788-01
廠商: FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類: JFETs
英文描述: N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
中文描述: 92 A, 150 V, 0.026 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝: TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/4頁
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代理商: 2SK3788-01
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2SK3788-01
FUJI POWER MOSFET
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/
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1
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Single Pulse
Maximum Avalanche Current Pulsewidth
I
AV
=f(t
AV
):starting Tch=25
°
C,Vcc=48V
A
A
t
AV
[sec]
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0
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Transient Thermal Impedance
Zth(ch-c)=f(t):D=0
Z
t [sec]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3789-01R Enclosed Switches Series LS: Wobble - Coil Spring; 1NC 1NO DPDT Snap Action, Double Break; 0.5 in - 14NPT conduit; Plug-in
2SK3797 Silicon N-Channel MOS Type
2SK3798 RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
2SK3799 RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
2SK381 2SK381
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3789-01RSC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK3793 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK3793-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3796-2-TL-E 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2SK3796-3-TL-E 功能描述:JFET Junction FET 30V 10mA Nch SMCP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel