參數(shù)資料
型號： 2SK3784-01
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： JFETs
英文描述： 2.4 A, 800 V, 6.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 111K
代理商： 2SK3784-01
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2SK3784-01
FUJI POWER MOSFET
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/
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0
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1
Single Pulse
Maximum Avalanche Current Pulsewidth
I
AV
=f(t
AV
):starting Tch=25
°C,Vcc=80V
A
v
al
an
che
Cu
rr
en
t
I
AV
[A
]
t
AV
[sec]
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0
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Maximum Transient Thermal Impedance
Zth(ch-c)=f(t):D=0
Z
th(
ch
-c
)[°
C
/W
]
t [sec]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3794-Z 20000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK3796-4 10 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK3796 10 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK3796-4 10 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK3798 4 A, 900 V, 3.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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2SK3789-01RSC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK3793 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK3793-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3796-2-TL-E 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
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