型號: | 2SK3780-01 |
廠商: | FUJI ELECTRIC CO LTD |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
中文描述: | 73 A, 200 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
封裝: | TO-247, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大?。?/td> | 105K |
代理商: | 2SK3780-01 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SK3781-01R | DIODE SCHOTTKY SINGLE 25V 200mW 0.33V-vf 200mA-IFM 2mA-IF 0.5uA-IR SOD-323 3K/REEL |
2SK3788-01 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
2SK3789-01R | Enclosed Switches Series LS: Wobble - Coil Spring; 1NC 1NO DPDT Snap Action, Double Break; 0.5 in - 14NPT conduit; Plug-in |
2SK3797 | Silicon N-Channel MOS Type |
2SK3798 | RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2SK3781-01RSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
2SK3788-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 21 Milliohms;ID 92A;TO-247;PD 410W;VGS +/-3 |
2SK3789-01RSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
2SK3793 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
2SK3793-AZ | 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |