參數資料
型號： 2SK3544
元件分類： JFETs
英文描述： 13 A, 450 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, 2-10R1B, SC-67, 4 PIN
文件頁數： 1/5頁
文件大小： 300K
代理商： 2SK3544
2SK3544
2005-11-18
1
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS V)
2SK3544
Switching Regulator Applications
Low drainsource ON-resistance: RDS (ON) = 0.29 (typ.)
High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.8 S (typ.)
Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDSS = 450 V)
Enhancement mode: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Maximum Ratings (Ta
= 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Drain–source voltage
VDSS
450
V
Drain–gate voltage (RGS = 20 k)
VDGR
450
V
Gate–source voltage
VGSS
±30
V
DC
(Note 1)
ID
13
Drain current
Pulse
(Note 1)
IDP
52
A
Drain power dissipation (Tc
= 25°C)
PD
100
W
Single-pulse avalanche energy
(Note 2)
EAS
350
mJ
Avalanche current
IAR
13
A
Repetitive avalanche energy (Note 3)
EAR
4.5
mJ
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal resistance, channel to case
Rth (ch-c)
3.125
°C/W
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.
Note 2: VDD = 90 V, Tch = 25°C (initial), L = 3.46 mH, RG = 25 , IAR = 13 A
Note 3: Repetitive rating; pulse width limited by maximum channel temperature
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-67
TOSHIBA
2-10R1B
Weight: 0.74 g (typ.)
相關PDF資料
PDF描述
2SK3571-S 48 A, 20 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3573-ZK-AZ 83 A, 20 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
2SK3573-S 83 A, 20 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
2SK3573 83 A, 20 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3573-S 83 A, 20 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
相關代理商/技術參數
參數描述
2SK3546G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3546J0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK354700L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3547G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3549-01 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 900V;RDS(ON) 1.08 Ohms;ID +/-40A;TO-247;PD 270W;VGS +/-3
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*