參數(shù)資料
型號： 2SK3543
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSV)
中文描述： 東芝場效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山類型（喝醉MOSV）
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 234K
代理商： 2SK3543
2SK3543
2002-09-04
5
r
th
t
w
Pulse width t
w
(S)
N
r
Safe operating area
E
AS
– T
ch
Drain-source voltage V
DS
(V)
Channel temperature (initial) Tch (°C)
A
A
D
D
0
25
40
80
120
200
160
50
75
100
125
150
15
V
15
V
Test circuit
Wave form
I
AR
B
VDSS
V
DD
V
DS
R
G
25
V
DD
90 V, L 42.8 mH
VDD
BVDSS
BVDSS
2
I
L
2
1
Ε
AS
1
0.03
0.3
3
10
10
100
1000
VDSS max
1
0.01
0.1
*
:
Single nonrepetitive pulse
Tc 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
DC operation
Tc 25°C
1 ms
*
100 s
*
ID max (continuous)
ID max (pulsed)
*
0.01
0.1
1
3
0.3
0.03
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
T
PDM
t
Duty t/T
Rth (ch-c) 4.17°C/W
Duty 0.5
0.2
0.1
Single Pulse
0.05
0.01
0.003
0.02
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PDF描述
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