參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3538
廠商： Toshiba Corporation
元件分類： DC/DC變換器
英文描述： Switching Regulator, DC-DC Converter Applications
中文描述： 開關(guān)穩(wěn)壓器，DC - DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 221K
代理商： 2SK3538
2SK3538
2003-02-14
2
Electrical Characteristics
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Gate leakage current
I
GSS
V
GS
25 V, V
DS
0 V
10
A
Gate-source breakdown voltage
V
(BR) GSS
I
G
10 A, V
DS
0 V
30
V
Drain cut-off current
I
DSS
V
DS
500 V, V
S
0 V
100
A
Drain-source breakdown voltage
V
(BR) DSS
I
D
10 mA, V
GS
0 V
500
V
Gate threshold voltage
V
th
V
DS
10 V, I
D
1 mA
2.0
4.0
V
Drain-source ON resistance
R
DS (ON)
V
GS
10 V, I
D
4 A
0.75
0.85
Forward transfer admittance
|Y
fs
|
V
DS
10 V, I
D
4 A
3.5
7.0
S
Input capacitance
C
iss
1300
Reverse transfer capacitance
C
rss
130
Output capacitance
C
oss
V
DS
10 V, V
GS
0 V, f 1 MHz
400
pF
Rise time
t
r
26
Turn-on time
t
on
45
Fall time
t
f
40
Switching time
Turn-off time
t
off
Duty
≤
1%, t
w
10 s
140
pF
Total gate charge
(gate-source plus gate-drain)
Q
g
30
Gate-source charge
Q
gs
17
Gate-drain (“miller”) charge
Q
gd
V
DD
≈
400 V, V
GS
10 V,
I
D
8 A
13
nC
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Continuous drain reverse current
Pulse drain reverse current
Forward voltage (diode)
(Note 1)
I
DR
8
A
(Note 1)
I
DRP
32
A
V
DSF
t
rr
I
DR
8 A, V
GS
0 V
1.7
V
Reverse recovery time
1200
ns
Reverse recovery charge
Q
rr
I
DR
8 A, V
GS
0 V,
dI
DR
/dt 100 A/ s
10
C
Marking
R
L
V
DD
≈
200 V
0 V
V
GS
10 V
5
I
D
4 A
V
OUT
※
Lot Number
Month
(starting from alphabet A)
Year
(last number of the christian era)
※
Type
K3538
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3539 Silicon N-channel MOSFET
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參數(shù)描述
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2SK3541GT2L 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:SMALL SIGNAL TRANSISTORS
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2SK3541T2L-CUT TAPE 制造商:ROHM 功能描述:Single N-Channel 150 mW 30 V 13 Ohm Surface Mount 2.5 V Drive MosFet - VMT-3
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