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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3519 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD. |
| 英文描述： | N CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 中文描述： | N通道功率MOSFET硅 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | 2SK3519 |
2
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
VDS [V]
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
20V
10V
8V
7.5V
7.0V
I
Typical Output Characteristics
ID=f(VDS):80μs Pulse test,Tch=25°C
VGS=6.5V
Characteristics
2SK3519-01
FUJI POWER MOSFET
ID=f(VGS):80μs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C
gfs=f(ID):80μs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C
RDS(on)=f(ID):80μs Pulse test, Tch=25°C
0
25
50
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
P
Tc [
°
C]
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
1
10
I
VGS[V]
Typical Transfer Characteristic
0.1
1
10
0.1
1
10
100
g
ID [A]
Typical Transconductance
0
5
10
ID [A]
15
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
R
Typical Drain-Source on-state Resistance
10V
20V
8V
7.5V
7.0V
VGS=6.5V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
R
Tch [
°
C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=4A,VGS=10V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3519-01 | N CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3520-01MR | N CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3520 | 2SK3520 |
| 2SK3521 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3521-01L | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3519-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 500V;RDS(ON) 0.65Ohm;ID +/-9A;TO-220AB;PD 135W;VGS +/-30 |
| 2SK352 | 制造商:HIT 功能描述:2SK352 HIT S3B2A |
| 2SK3520-01MRSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3522-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 500V;RDS(ON) 0.2Ohm;ID +/-25A;TO-247;PD 335W;VGS +/-30V |
| 2SK3522-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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