參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3511
元件分類： JFETs
英文描述： 83 A, 75 V, 0.0125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： MP-25, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： 2SK3511
Data Sheet D15617EJ1V0DS
5
2SK3511
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
0
5
10
15
20
25
-100
-50
0
50
100
150
200
Pulsed
VGS = 10 V
ID = 42 A
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
Crss
Coss
Ciss
VGS = 0 V
f = 1 MHz
R
DS
(on)
-
Drai
n
t
o
S
ourc
e
On-s
ta
te
Res
is
tanc
e
-
m
Tch - Channel Temperature -
°C
C
is
s,
C
os
s,
C
rs
s-
Capac
itanc
e
-
pF
VDS - Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
td(
on)
,t
r,
t
d(
of
f),
t
f-
S
w
itc
h
ing
Ti
m
e
-
ns
10
1
0.1
1000
100
10
100
VDD = 38 V
VGS = 10 V
RG = 0
tf
tr
td(on)
td(off)
ID - Drain Current - A
V
DS
-
Drai
n
t
o
S
ourc
e
V
o
lt
age
-
V
0
20
40
60
80
100
0
2040
6080
100
120
0
2
4
6
8
10
ID = 83 A
VDD = 60 V
38 V
15 V
VGS
VDS
QG - Gate Charge - nC
V
GS
-
Gat
e
t
o
S
ourc
e
V
o
lt
age
-
V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs. DRAIN CURRENT
ISD
-
Di
ode
Forw
ard
Current
-
A
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
2
VGS = 10 V
0 V
Pulsed
VSD - Source to Drain Voltage - V
trr
-
Revers
e
Rec
o
very
T
im
e
-
ns
10
100
0.1
1
10
100
V GS = 0 V
di/dt = 100 A/
s
IF - Drain Current - A
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PDF描述
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