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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3506 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type |
| 中文描述： | 東芝場效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山類型 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 164K |
| 代理商： | 2SK3506 |
2SK3506
2002-09-04
2
Electrical Characteristics
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Gate leakage current
I
GSS
V
GS
16 V, V
DS
0 V
10
A
Drain cut-OFF current
I
DSS
V
DS
30 V, V
GS
0 V
100
A
Drain-source breakdown voltage
V
(BR) DSS
I
D
10 mA, V
GS
0 V
30
V
Gate threshold voltage
V
th
V
DS
10 V, I
D
1 mA
1.5
3.0
V
Drain-source ON resistance
R
DS (ON)
V
GS
10 V, I
D
25 A
16
20
m
Forward transfer admittance
Y
fs
V
DS
10 V, I
D
25 A
13
26
S
Input capacitance
C
iss
1500
Reverse transfer capacitance
C
rss
480
Output capacitance
C
oss
V
DS
10 V, V
GS
0 V, f 1 MHz
680
pF
Rise time
t
r
11
Turn-ON time
t
on
18
Fall time
t
f
60
Switching time
Turn-OFF time
t
off
V
GS
130
ns
Total gate charge
(gate-source plus gate-drain)
Q
g
39
Gate-source charge
Q
gs
25
Gate-drain (“miller”) charge
Q
gd
V
DD
24 V, V
GS
10 V, I
D
45 A
14
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Continuous drain reverse current (Note 1)
I
DR
45
A
Pulse drain reverse current
(Note 1)
I
DRP
135
A
Forward voltage (diode)
V
DSF
I
DR
45 A, V
GS
0 V
1.7
V
Reverse recovery time
t
rr
100
ns
Reverse recovery charge
Q
rr
I
DR
45 A, V
GS
0 V,
dI
DR
/dt 50 A/ s
200
nC
Marking
※
Type
K3506
※
Lot Number
Month (starting from alphabet A)
Year
(last number of the christian era)
TOSHIBA
Duty
1%, t
w
10 s
0 V
10
V
R
L
1.2
V
DD
30 V
I
D
25
A
V
OUT
4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3512 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3512-01L | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3512-S | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3512-SJ | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3512-01S | MOSFETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3510-AZ | 功能描述:MOSFET N-CH 75V MP-25/TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3511(AZ) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
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| 2SK3512-01LSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3513-01LSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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