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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3479 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 中文描述： | 開(kāi)關(guān)N溝道功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | 2SK3479 |
Data Sheet D15077EJ1V0DS
4
2SK3479
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
Pulsed
1
2
3
4
5
6
V
DS
= 10 V
10
1
0.1
100
1000
T
A
=
40
C
25
C
75
C
150
C
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
2
3
4
1
Pulsed
V
GS
=10 V
4.5 V
300
250
200
150
100
50
0
5
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
f
0.01
0.1
1
10
100
10
100
0.1
0.01
1
Pulsed
T
= 150
C
75
C
25
C
40
C
V
DS
= 10 V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
5
10
15
20
Pulsed
20
16
12
8
4
0
42 A
I
D
= 83 A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
R
D
10
1
50
40
30
20
10
0
100
1000
Pulsed
V
GS
= 4.5 V
10 V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature -
C
V
G
0.5
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 mA
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
50
0
50
100
150
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3480 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3480-S | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3480-Z | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3480-ZJ | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3482 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3479-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 100V 83A 11m@10V TO220AB Bulk 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| 2SK3479-S | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3479-Z | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3479-Z-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 100V 83A 11m@10V TO220SMD Bulk 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 100V 83A 11m@10V TO220SMD Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Nch MOSFET,100V,83A,8.8m ohm,TO-220AB 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 83A 3-Pin(2+Tab) TO-220 SMD |
| 2SK3479-Z-E1-AZ | 功能描述:MOSFET 100V N-CH TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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