參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3479-Z-AZ
元件分類： JFETs
英文描述： 83 A, 100 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 76K
代理商： 2SK3479-Z-AZ
Data Sheet D15077EJ1V0DS
6
2SK3479
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
L - Inductive Load - H
IAS
-
Single
Avalanche
Current
-
A
10
100
1000
1 m10 m
VDD = 50 V
RG = 25
VGS = 20
→ 0 V
IAS = 65 A
10
100
1
E
AS = 422
mJ
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
Starting Tch - Starting Channel Temperature - C
Energy
Derating
Factor
-
%
25
50
75
100
160
140
120
100
80
60
40
20
0
125
150
VDD = 50 V
RG = 25
VGS = 20
→ 0 V
IAS
≤ 65 A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3479-Z 83 A, 100 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3480-S 50 A, 100 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
2SK3480-Z-AZ 50 A, 100 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3480-AZ 50 A, 100 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3480-ZJ-AZ 50 A, 100 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3479-Z-E1-AZ 功能描述:MOSFET 100V N-CH TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3479-Z-E2-AZ 功能描述:MOSFET 100V N-CH TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3479-ZJ 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3479-ZJ-E1-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK3479-ZJ-E1-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V 83A TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*