參數資料
型號： 2SK3431-Z
元件分類： JFETs
英文描述： 83 A, 40 V, 0.0089 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220SMD, 3 PIN
文件頁數： 3/4頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： 2SK3431-Z
Preliminary Data Sheet D14600EJ1V0DS00
3
2SK3431
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage
exceeding the rated voltage may be applied to this device.
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0
3.6±0.2
4
3.0±0.3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
5.9
MIN.
6.0
MAX.
15.5
MAX.
12.7
MIN.
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
φ
1) TO-220AB (MP-25)
3) TO-220SMD (MP-25Z)
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
(10)
4
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
8.5±
0.2
12.7
MIN.
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1.0±0
.5
2) TO-262 (MP-25 Fin Cut)
(10)
1.4±0.2
1.0±0.5
2.54 TYP.
8.5±0.2
123
3.0±0.5
11±0.4
4
2.8±0.2
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
(0.5R)
(0.8R)
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1.0±0.3
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
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PDF描述
2SK3431-S 83 A, 40 V, 0.0089 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
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