參數(shù)資料
型號： 2SK3430-Z-AZ
元件分類： JFETs
英文描述： 80 A, 40 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 10/10頁
文件大?。?/td> 217K
代理商： 2SK3430-Z-AZ
Data Sheet D14599EJ3V0DS
7
2SK3430
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1)
TO-220AB(MP-25)
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0 TYP.
3.6±0.2
4
3.0±0.3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
5.9
MIN.
6.0
MAX.
15.5
MAX.
12.7
MIN.
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
φ
2)
TO-262(MP-25 Fin Cut)
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
10 TYP.
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
8.5±
0.2
12.7
MIN.
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1.0±0
.5
4
3)
TO-263 (MP-25ZJ)
1.4±0.2
1.0±0.5
2.54 TYP.
8.5±0.2
123
5.7±0.4
4
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
0.7±0.2
10 TYP.
0.5R
TYP.
0.8R
TYP.
2.8±0.2
4) TO-220SMD (MP-25Z)
Note
10 TYP.
1.4±0.2
1.0±0.5
2.54 TYP.
8.5±0.2
123
3.0±0.5
1.1±0.4
4
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
0.5R
TYP.
0.8R
TYP.
0.75±0.3
2.8±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
Note This package is produced only in Japan.
.
Remark
The diode connected between the gate and source of
the transistor serves as a protector against ESD. When
this device actually used, an additional protection circuit
is externally required if a voltage exceeding the rated
voltage may be applied to this device.
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3430-Z 80 A, 40 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3431-Z 83 A, 40 V, 0.0089 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3431-S 83 A, 40 V, 0.0089 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
2SK3432-ZJ 83 A, 40 V, 0.0069 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
2SK3432-S-AZ 83 A, 40 V, 0.0069 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3430-Z-E1-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.3 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2800pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
2SK3430-ZJ 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
2SK3431 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:MOS Field Effect Transistor
2SK3431-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 40V 83A 5.6m@10V TO220AB Bulk
2SK3431-S 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
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