參數(shù)資料
型號： 2SK3424-ZK
元件分類： JFETs
英文描述： 48 A, 30 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： MP-25ZK, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： 2SK3424-ZK
Data Sheet D14640EJ2V0DS
2
2SK3424
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TA = 25°C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Drain Leakage Current
IDSS
VDS = 30 V, VGS = 0 V
10
A
Gate Leakage Current
IGSS
VGS =
±20 V, VDS = 0 V
±10
A
Gate Cut-off Voltage
VGS(off)
VDS = 10 V, ID = 1 mA
1.5
2.5
V
Forward Transfer Admittance
| yfs |VDS = 10 V, ID = 24 A
13
S
Drain to Source On-state Resistance
RDS(on)1
VGS = 10 V, ID = 24 A
7.7
11.5
m
RDS(on)2
VGS = 4.5 V, ID = 24 A
10.5
17.0
m
Input Capacitance
Ciss
VDS = 10 V
1900
pF
Output Capacitance
Coss
VGS = 0 V
580
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
f = 1 MHz
270
pF
Turn-on Delay Time
td(on)
VDD = 15 V , ID = 24 A
14
ns
Rise Time
tr
VGS(on) = 10 V
13
ns
Turn-off Delay Time
td(off)
RG = 10
61
ns
Fall Time
tf
22
ns
Total Gate Charge
QG
VDD = 24 V
34
nC
Gate to Source Charge
QGS
VGS = 10 V
6.4
nC
Gate to Drain Charge
QGD
ID = 48 A
9.1
nC
Diode Forward Voltage
VF(S-D)
IF = 48 A, VGS = 0 V
1.0
V
Reverse Recovery Time
trr
IF = 48 A, VGS = 0 V
34
ns
Reverse Recovery Charge
Qrr
di/dt = 100 A/
s
26
nC
TEST CIRCUIT 2 GATE CHARGE
TEST CIRCUIT 1 SWITCHING TIME
PG.
RG
0
VGS
D.U.T.
RL
VDD
τ = 1 s
Duty Cycle
≤ 1%
VGS
Wave Form
VDS
Wave Form
VGS
10%
90%
10%
0
VDS
90%
td(on)
tr
td(off)
tf
τ
0
ton
toff
PG.
50
D.U.T.
RL
VDD
IG = 2 mA
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PDF描述
2SK3424-AZ 48 A, 30 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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2SK3430-Z 80 A, 40 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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