參數(shù)資料
型號： 2SK3372G
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 0.47 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
封裝： ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F2, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 201K
代理商： 2SK3372G
2
2SK3372G
SJF00066BED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Y
fs VGS
Y
fs ID
PD Ta
ID VDS
ID VGS
08
4
0
2.0
1.6
1.2
0.4
0.8
Drain-source voltage V
DS (V)
Drain
current
I
D
(mA
)
Ta
= 25°C
VGS
= 0.4 V
0.2 V
0.1 V
0 V
0.3 V
0.1 V
– 0.8
0
– 0.4
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
VDS
= 2 V
Ta
= 25°C
Gate-source voltage V
GS (V)
Forward
transfer
admittance
Y
fs
(mS
)
0
40
120
80
0
120
100
80
60
40
20
Ambient temperature T
a (°C)
Power
dissipation
P
D
(mW
)
– 0.4
0
– 0.2
0
0.4
0.3
0.2
0.1
VDS
= 2 V
Gate-source voltage V
GS (V)
Drain
current
I
D
(mA
)
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
0
300
200
100
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
VDS
= 2 V
Ta
= 25°C
Drain current I
D (A)
Forward
transfer
admittance
Y
fs
(mS
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3374 1 A, 450 V, 4.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3376TK-B 0.34 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK3376TK N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK3376TV-B 0.34 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK3376TV N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3372GRL 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET（結(jié)點(diǎn)場效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān)）@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW
2SK3372GSL 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET（結(jié)點(diǎn)場效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān)）@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW
2SK3372GTL 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET（結(jié)點(diǎn)場效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān)）@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW
2SK3372GUL 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET（結(jié)點(diǎn)場效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān)）@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW
2SK3373 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching Regulator and DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*