參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3274L
元件分類： JFETs
英文描述： 30 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 10/14頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： 2SK3274L
2SK3274(L), 2SK3274(S)
3
Electrical Characteristics (Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unijt
Test conditions
Drain to source breakdown
voltage
V
(BR)DSS
30
——V
I
D = 10 mA, VGS = 0
Gate to source leak current
I
GSS
——
±0.1
AV
GS = ±20 V, VDS = 0
Zero gate voltage drain current
I
DSS
——
10
AV
DS = 30 V, VGS = 0
Gate to source cutoff voltage
V
GS(off)
1.5
—
3.0
V
DS = 10 V, ID = 1 mA*
1
Forward transfer admittance
|y
fs|18
30
—
S
I
D = 15 A, VDS = 10 V*
1
Static drain to source on state
R
DS(on)
—
1013m
I
D = 15 A, VGS = 10 V*
1
resistance
R
DS(on)
—
2030m
I
D = 15 A, VGS = 4.5 V*
1
Input capacitance
Ciss
—
1500
—
pF
V
DS = 10 V
Output capacitance
Coss
—
500
—
pF
V
GS = 0
Reverse transfer capacitance
Crss
—
250
—
pF
f = 1 MHz
Total gate charge
Qg
—
27
—
nc
V
DD = 10 V
Gate to source charge
Qgs
—
6
—
nc
V
GS = 10 V
Gate to drain charge
Qgd
—
5
—
nc
I
D = 30 A
Turn-on delay time
td(on)
—
22
—
ns
V
GS = 10 V
Rise time
tr
—
170
—
ns
I
D = 15 A
Turn-off delay time
td(off)
—
110
—
ns
R
L = 2
Fall time
tf
—
145
—
ns
Body-drain diode forward
voltage
V
DF
—
1.0
—
V
I
F = 30 A, VGS = 0
Body-drain diode reverse
recovery time
trr
—
35
—
ns
I
F = 30 A, VGS = 0
diF/dt = 50 A/
s
Note:
1. Pulse test
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PDF描述
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