參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3175A
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： RFPAK-2
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 81K
代理商： 2SK3175A
2SK3175A
Rev.0, Aug. 2001, page 2 of 8
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
Note1
60
V
Gate to source voltage
V
GSS
±10
V
Drain current
I
D
8A
Drain peak current
I
D(pulse)
Note2
16
A
Channel dissipation
Pch
Note3
126
W
Channel temperature
Tch
175
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Pin = 0 , PW
≤ 0.1 sec
2. PW
≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50 %
3. Value at Tc = 25°C
Electrical Characteristics
(Tc = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Zero gate voltage drain current
I
DSS
——1
mA
V
DS = 60 V, VGS = 0
Gate to source leak current
I
GSS
——±3
AV
GS = ±10V, VDS = 0
Gate to source cutoff voltage
V
GS(off)
1.0
2.2
3.0
V
I
D = 1mA, VDS = 10V
Forward transfer admittance
|y
fs|
4.0
6.7
—
S
V
DS=10V,
I
D = 5A
Note4
Input capacitance
Ciss
—
165
—
pF
V
GS = 5V, VDS = 0
f = 1MHz
Reverse transfer capacitance
Crss
—
4
—
pF
V
DG = 10V, VGS = 0
f = 1MHz
Output Power
Pout
100
135
—
W
V
DS = 28V, IDQ = 0.6A
f = 860 MHz
Pin = 7 W
Drain Rational
ηD—
65
—
%
V
DS = 28V, IDQ = 0.6A
f = 860 MHz
Pin = 7 W
Note:
4. Pulse Test
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PDF描述
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